Abstract: 目的 研究高压氧预处理对脊髓神经元氧化损伤的影响.方法 取胚胎小鼠脊髓做神经元原代培养,分正常对照组、高压氧预处理组(0.35 Mpa、2 h)和H2O2处理组(50 μmol/L、37 ℃、1 h).通过形态学观察、甲基噻唑基四唑比色微量分析和单细胞凝胶电泳等试验方法观察H2O2处理所导致的神经元DNA损伤以及高压氧预处理对这种DNA损伤的影响.结果 H2O2处理组细胞活性明显下降(P<0.01),细胞DNA尾矩与对照组相比明显增加.单次高压氧暴露后,高压氧预处理组与H2O2处理组相比,细胞活性从预处理后4 h开始明显增高.细胞DNA尾矩也从预处理后4 h开始显著减少并持续到预处理后24 h.结论 H2O2处理导致脊髓神经元出现氧化损伤.高压氧预处理对H2O2诱导的脊髓神经元氧化损伤具有保护作用,这种保护作用至少能持续到预处理后24 h.